Оперативная память AMD

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-38, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В