Оперативная память G.Skill

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8200 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52-131, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-28, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В

двухканальный (2 модуля), частота 2666 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-83, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В