Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.45 В