Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6800 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц