Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7800 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-125, напряжение 1.45 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45-89, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.4 В