Оперативная память

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8200 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52-131, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В