SSD

2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Maxio MAP1202, микросхемы 3D TLC NAND

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 93000/80000 IOps

2.5", SAS 24G, микросхемы TLC, последовательный доступ: 4150/1450 MBps, случайный доступ: 595000/145000 IOps

1.6 ТБ, 2.5", SAS 3, последовательный доступ: 1000/1000 МБайт/с, случайный доступ: 230000/130000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0

32 ГБ, mSATA, SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 280/50 МБайт/с

2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 550/510 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2000/1500 МБайт/с, случайный доступ: 99500/96200 IOps, SLC-кэш

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с

3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps

6.4 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/390000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1871/1145 MBps

1.92 ТБ, 2.5", SAS 3

2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5700 MBps, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, совместимость с PS5

3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/3600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/200000 IOps

256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 МБайт/с

960 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш