SSD

800 ГБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1000 МБайт/с, случайный доступ: 400000/70000 IOps

M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/465 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/5500 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 560/520 MBps, случайный доступ: 85000/85000 IOps

250 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3000/1300 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/6600 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, совместимость с PS5

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2800/1700 МБайт/с

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3540/3090 MBps, случайный доступ: 195000/150000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0

2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5220, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4000 МБайт/с, случайный доступ: 510000/670000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps