Найден 771 товар
2 ТБ, mSATA, SATA 3.0, последовательный доступ: 545/500 MBps
2 ТБ, mSATA, SATA 3.0, последовательный доступ: 545/500 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 4125/2950 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 4125/2950 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
240 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, последовательный доступ: 500/420 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, последовательный доступ: 500/420 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 4800/4500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 4800/4500 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/25000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/25000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4000/3600 МБайт/с, случайный доступ: 450000/750000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4000/3600 МБайт/с, случайный доступ: 450000/750000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 63000/77000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 63000/77000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, последовательный доступ: 551/463 МБайт/с
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, последовательный доступ: 551/463 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
800 ГБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1000 МБайт/с, случайный доступ: 400000/70000 IOps
800 ГБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1000 МБайт/с, случайный доступ: 400000/70000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6290/5680 МБайт/с, случайный доступ: 984500/748800 IOps, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6290/5680 МБайт/с, случайный доступ: 984500/748800 IOps, SLC-кэш